克服氮化镓高电子迁移率晶体管热表征挑战

氮化镓 (GaN) 高电子迁移率晶体管 (HEMT) 以其高效率、速度和紧凑的设计正在彻底改变电力电子元件。然而，其独特的热属性带来了重大的表征挑战。本白皮书探讨了 GaN HEMT 元器件中热瞬态测试的创新解决方案，阐述了现实世界的挑战，并提供了提高性能和可靠性的实用方法。从了解元器件结构到调整测量技术，该资源为工程师和行业领导者提供了切实可行的见解。

GaN HEMT 简介

GaN HEMT 正在改变电力电子元件，因为它们能够在高压、高温和高频下运行。然而，由于缺少寄生体二极管且经典 HEMT 结构无法正常运行，其热表征带来了独特的挑战。

热测试中的关键挑战

• 缺少用于温度感应的寄生体二极管。
• 正常运行会使测量设置复杂化。
• 时变效应，如电荷捕获和寄生瞬态。

提议的解决方案

• 通道电阻：将通道电阻的温度相关性用于绝缘栅 HEMT。
• 栅极肖特基测量：利用传统 HEMT 中的栅极二极管结构进行高灵敏度温度检测。
• 栅极漏电流：在具有低漏电特性的元器件中使用栅极漏电流测量温度。
• 共源共栅 HEMT：为采用共源共栅配置的 GaN HEMT 与 Si MOSFET 组合的元器件调整测试方法。

请继续阅读，了解射频放大器和电力电子设备等真实应用如何优化热性能并确保可靠性。