曲线挺进！IC 制造迎接曲线掩膜时代

在制造集成电路时，我们过去总是制作具有曼哈顿和 45 度边的掩膜。例如，将接触孔设计为方形，即使实际印制在晶圆上的形状是圆形。事实证明，要印制这样一个圆形，适当的掩膜图形实际上应当是圆形，即最终的工艺窗口最大化曲线掩膜形状。曲线掩膜现在可以使用多光束掩膜写入机，而用于处理曲线数据的 EDA 工具也开始提供线上版本。

本文讨论了曲线 (CL) 掩膜的优势，以及包括逆光刻技术在内的电子设计自动化 (EDA) 工具如何实现这种新一代的 IC 制造。

为什么选择曲线掩膜？

IC 设计和制造历来将形状表示为曼哈顿形状。直线边多边形是一种高效利用可用空间的方式。圆形和曲线都会浪费空间，但在现实世界中，工艺角总会进行一定程度的圆化。直线边设计之所以会在晶圆上呈现圆化工艺角，主要是投影光学系统的低通性质所致。由于光学/电子束写入机的工艺角分辨率是有限的，直线边设计会在掩膜上呈现圆化工艺角。

下一代光刻工艺的曝光要求促使光刻人员探索曲线掩膜的优势。多光束掩膜写入机 (MBMW) 的问世解决了与高顶点数相关的掩膜写入运行时间损失，并使曲线 (CL) 掩膜的引入更接近于现实。

行业正在全速挺进，寻求全面支持 CL 掩膜工具、数据处理和流程。