GaN HEMT 열 특성화 문제 해결

GaN(Gallium nitride, 질화갈륨) HEMT(High-Electron-Mobility Transistor, 고전자 이동도 트랜지스터)는 고효율, 속도, 소형 설계로 전력 전자 장치를 혁신하고 있습니다. 그러나 고유한 열적 특성으로 인해 특성화에 상당한 어려움이 있습니다. 본 백서는 GaN HEMT 소자의 열 천이 테스트를 위한 혁신적인 솔루션을 살펴보고 실제 문제를 해결하며 성능과 신뢰성을 향상하기 위한 실용적인 방법론을 제공합니다. 소자 구조의 이해부터 측정 기법의 적용에 이르기까지, 이 리소스는 엔지니어와 업계 리더를 위한 실행 가능한 인사이트를 제공합니다.

GaN HEMT 소개

GaN HEMT는 높은 전압, 온도 및 주파수에서 작동하는 기능으로 전력 전자 장치를 혁신하고 있습니다. 그러나 기생 바디 다이오드가 없고 기존 HEMT 구조가 정상적으로 작동하기 때문에 열 특성화에는 고유한 문제가 있습니다.

열 테스트의 주요 과제

• 온도 감지를 위한 기생 바디 다이오드가 없습니다.
• 일반적으로 작동 중이면 측정 설정이 복잡해집니다.
• 전하 트래핑, 기생 천이 등 시간에 따라 변하는 현상이 발생합니다.

해결책 제안

• 채널 저항: 절연 게이트 HEMT에 대한 채널 저항의 온도 의존성을 활용합니다.
• 게이트 쇼트키(Schottky) 측정: 고감도 온도 감지를 위해 기존 HEMT의 게이트 다이오드 구조를 활용합니다.
• 게이트 누설 전류: 누설 특성이 낮은 장치의 게이트 누설 전류를 사용하여 온도를 측정합니다.
• 캐스코드 HEMT: 캐스코드 구성으로 GaN HEMT와 Si MOSFET을 결합한 장치에 대한 테스트 방법을 조정합니다.

계속해서 RF 증폭기, 전력 전자 장치 등 열 성능을 최적화하고 신뢰성을 보장하는 다양한 실제 사례에 대해 알아보십시오.