Mit Simcenter SiC-Bauelemente vollständig beschreiben

Siliziumkarbid (SiC), ein Halbleitermaterial, das aus Silizium und Kohlenstoff besteht, wird bei der Herstellung von Leistungsbauelementen verwendet, die auf Hochspannungsanwendungen zugeschnitten sind, darunter Elektrofahrzeuge (EVs), Netzteile, Motorsteuerschaltungen und Wechselrichter. SiC bietet zahlreiche Vorteile im Vergleich zu herkömmlichen siliziumbasierten Leistungsbauelementen wie IGBTs und MOSFETs, die in der Vergangenheit aufgrund ihrer Kosteneffizienz und unkomplizierten Fertigungsprozesse den Markt dominiert haben.

Die Verwendung von Materialien mit breiter Bandlücke (WBG) wie Siliziumkarbid anstelle herkömmlicher siliziumbasierter Technologie ermöglicht höhere Schaltgeschwindigkeiten und höhere Durchbruchspannungen. Dieser Fortschritt erleichtert die Entwicklung kleinerer, schnellerer, zuverlässigerer und effizienterer Leistungsbauelemente.

Neue Technologien bringen jedoch Herausforderungen in Bezug auf den Wärmewiderstand sowie die Integrität und die Robustheit der Geräte mit sich. In diesem White Paper wird beschrieben, wie Simcenter diese Herausforderungen mit neuen Methoden für Tests für thermische Transienten und Schaltzyklen bewältigt, die den aktuellen Teststandards entsprechen.