在先進技術方面,業界不斷發現非常複雜的矽晶缺陷類型和缺陷分佈,造成的一個後果是,掃描鏈診斷變得更加困難。為了提高掃描鏈診斷的解析度,Tessent Diagnosis 可使用全新的掃描鏈測試向量,以便利用可逆的掃描鏈架構。
本白皮書將介紹這種可以在掃描鏈診斷期間實現雙向移動操作的新穎掃描鏈架構,並深入探討建立向量集所需的向量生成,以實現深入至單個單元的診斷。這項新技術包含掃描鏈設計與診斷,可將掃描鏈診斷解析度提升 4 倍。
掃描鏈可幫助您測試複雜的晶片設計。但如果掃描鏈出
現問題,您該如何對其本身進行測試?掃描鏈診斷過去
用於識別所有良率提升階段的良率限制因素。
對於新製程技術,測試晶片被用作製程鑒定階段的特性
化工具。此階段的特徵通常是低良率,且測試晶片數量
通常很少。掃描鏈故障可佔晶片故障的 66%(其餘為邏
輯缺陷)。
當矽晶
缺陷影響掃描鏈路徑時,會使用掃描鏈診斷和 EFI 來找
出缺陷位置並確定根本原因。現在,Tessent 可以利用可
逆掃描鏈架構生成可以提高掃描鏈診斷解析度
的向量。
此方法的優點是:診斷只需要鏈測試向量。由於只需要故障鏈測試向量,因此診斷過程運行的速度也快得多。若啟
用可逆掃描鏈診斷,則需要對設計和設計流程進行微小的變更。
可逆掃描鏈診斷技術經證實可將鏈診斷解析度提高 4 倍,
將診斷執行速度提升 4 倍。使用這項技術顯然有助於實
現極限良率,在先進製程技術上更是如此。