多重曝光簡介

在 20 nm 及以下製程技術，光罩上的圖案變得更密集，單靠 OPC 無法為繪製的設計解決微影解析度問題。多重曝光能解決此問題，該方法將原始光罩形狀分成兩個或更多個光罩，這樣每個形狀周圍就有足夠的空間進行 OPC 操控，進而印刻每個形狀。多重曝光技術包括雙重、三重與四重微影蝕刻及自動對齊流程。EDA 軟體讓設計師能實作多重曝光設計分解，並準確有效率地解決任何錯誤。

無論是雙重、三重還是四重微影蝕刻或自動對齊多重曝光，瞭解多重曝光分解與驗證對能否成功製造非常重要。

多重曝光是先進製程 IC 設計的必要條件，但將多重曝光技術應用於 IC 設計 Layout 以及識別和解決錯誤時，其中的複雜度可能很難應付。無論設計師使用的是雙重、三重或四重微影蝕刻曝光技術，還是自動對齊的雙重或四重曝光方法，要進行準確的設計分解與錯誤分析，一定要瞭解各種多重曝光技術的概念及應用。多重曝光 EDA 工具能自動執行設計分解並在驗證期間提供修復指引，這種工具能助一臂之力。