CMP 以模擬為基礎的虛擬填充最佳化

化學機械研磨 (CMP) 是積體電路 (IC) 製造中的關鍵製程，用於確保表面平整度。特徵尺寸的縮減增加了進行 CMP 建模和模擬，以在製造前偵測生產設計的潛在平整度熱點，並利用虛擬填充插入等技術對其進行修正的重要性。在 CMP 後熱點偵測及虛擬填充圖案選擇兩方面使用 CMP 模擬，可加速虛擬填充最佳化並提高準確度，進而改善熱點修正並提高表面平整度要求的遵循度。

CMP 以模擬為基礎的虛擬填充最佳化

由 CMP 模擬驅動的虛擬填充最佳化方法，可達成先進技術節點中嚴格的平整度要求，並利用 Calibre CMPAnalyzer、Calibre CMP ModelBuilder 及 Calibre YieldEnhancer SmartFill 工具測試此方法。該方法使用 CMP 模擬設定虛擬填充目標，並選擇能為指定佈局提供最佳平整度的虛擬填充圖案。