白皮书

裂缝诠释:高功率多芯片模块中的热传导路径分析

使用高级硬件和结构函数分析量化热降解

一名男子在使用 Simcenter Micred Tester 设置一个被测功率模块

本技术研究展示了热阻抗测量如何使用先进硬件有效表征功率半导体封装中的热传导路径。通过结构函数分析,工程师现在可以无损检测和量化结构缺陷,并将热阻变化与实际裂纹传播关联起来。

热传导路径的退化表示功率半导体封装最关键的失效机理之一。这项综合分析研究了由接口接触处的热机械应力引起的焊膏疲劳如何导致裂缝和热性能下降。使用先进的硬件,研究人员已经确定了热测量与物理退化之间的明确相关性。

重要发现:

  • 结壳热阻 (Rthjc) 与裂缝传播直接相关
  • K 值显示与横截面连接面积的线性关系
  • 结构函数提供无损评估功能
  • 可在多芯片模块内进行各个芯片分析
  • 通过扫描声学显微镜验证结果

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