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백서

Calibre Critical Area Analysis(CAA)의 SRAM 메모리 리던던시 평가

중요 영역 CA(x)를 제곱 마이크론 단위로, 한 가지 결함 유형의 결함 크기(나노미터 단위)의 함수로 나타냅니다.
리던던시(Redundancy)란 임베디드 메모리에 최종 수율을 개선할 목적으로 추가되곤 하는 요소입니다. 하지만 리던던시를 적용해도 아무런 장점이 없는 곳에 리던던시를 적용하면 다이 면적과 테스트 시간이 낭비되고, 제조 비용을 인상하는 결과를 낳게됩니다. SRAM의 리던던시가 실제로 유용한지, 아니면 시간과 비용을 낭비한 헛수고일뿐인지 어떻게 알 수 있을까요? Calibre YieldAnalyzer의 Critical Area Analysis(CAA)를 사용하면 설계에 가장 적합한 리던던시 수준을 파악할 수 있습니다.

Calibre YieldAnalyzer의 Critical Area Analysis(CAA) DFM 분석은 IC 및 SoC 설계자가 다이 면적 영향과 테스트 시간을 최소화하면서 수율을 개선하는 데 필요한 적절한 리던던시 메모리 양을 결정하는 데 도움이 됩니다.

SRAM 임베디드 메모리는 IC 설계 면적의 40~60%를 차지하는 경우가 많습니다. 메모리 코어의 밀집된 구조는 무작위 결함에 매우 취약하기 때문에 최종 수율을 개선하기 위해 임베디드 메모리에 중복 메모리 소자를 추가하는 경우가 많습니다. 그러나 이점이 없는 곳에 리던던시를 적용하면 귀중한 다이 면적과 테스트 시간이 낭비되어 오히려 제조 비용이 증가합니다. Calibre YieldAnalyzer 는 설계자가 IC 및 SoC 메모리 리던던시에 대한 상세한 분석을 수행할 수 있는 Critical Area Analysis(CAA) DFM 기능을 제공하여 칩 면적과 테스트에 미치는 영향을 최소화하면서 달성할 수 있는 수율 향상을 정확하게 정량화할 수 있도록 해줍니다.

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