균열 현상: 고전력 다중 칩 모듈의 열 경로 해석

이 기술 연구는 고급 하드웨어를 사용한 열 임피던스 측정을 통해 전력 반도체 패키지의 열 전도 경로를 효과적으로 특성화하는 방법을 보여줍니다. 구조 함수 해석을 통해 엔지니어는 이제 구조적 결함을 비파괴적으로 감지하고 정량화하여 열 저항 변화와 실제 균열 전파의 상관관계를 파악할 수 있습니다.

열 전도 경로의 열화는 전력 반도체 패키지에서 가장 중요한 오류 메커니즘 중 하나입니다. 이 포괄적인 해석은 계면 접점의 열기계적 응력으로 인해 발생하는 솔더 피로가 균열과 열 성능 저하로 이어지는 과정을 살펴봅니다. 연구자들은 첨단 하드웨어를 사용하여 열 측정과 물리적 열화 사이의 명확한 상관관계를 확립했습니다.

주요 결과:

• 접합부-케이스 열 저항(Rthjc)은 균열 전파와 직접적으로 연관
• K 값은 단면이 부착된 영역과 선형 관계
• 구조 함수는 비파괴 평가 기능 제공
• 다중 칩 모듈 내에서 개별 칩 해석 가능
• 주사 음향 현미경을 통해 결과 검증