더욱 저렴하고 빠르며 우수한 제품을 찾는 소비자의 요구에 따라 반도체 산업은 성능, 크기, 비용을 해결할 수 있는 더 작은 프로세스 지오메트리로 계속 이행하고 있습니다.
복잡한 설계를 16nm 기술 노드 이하로 계속 축소하는 것은 고성능 컴퓨팅에서 저전력 모바일 기기에 이르는 응용 분야에 매우 중요합니다. 16nm 기술 노드의 경우, FinFET 3D 트랜지스터의 등장 및 사용은 평면 기술과 비교해 새로운 설계 기회를 많이 제공하는 동시에, 설계 검증에 대한 새로운 과제를 안겨 주기도 합니다.
FinFET 트랜지스터 기술은 성능과 전력의 선택 문제를 해결해 줍니다. 설계자는 평면 기술과 비교해 동일한 전력으로 트랜지스터를 더 빠르게 실행하거나 더 적은 전력을 사용해 동일한 성능의 트랜지스터를 실행할 수 있습니다. 이로써 설계 팀은 각 응용 분야의 필요에 적합하도록 성능과 전력에 균형을 맞출 수 있습니다.
이전의 많은 프로세스 지오메트리 이행에서와 같이, 새로운 설계 복합성을 도입함으로써 제때 제품을 생산해야 하는 부담이 증가할 것입니다. 설계 검증 기술에 미치는 영향을 고려하지 않는다면 이러한 도입은 전력 감소, 성능 증가 등의 많은 장점이 있습니다. 하지만 회로 시뮬레이션 기술이 이러한 새로운 과제를 따라가지 못한다면 설계 일정이 어긋나 시판 기회를 놓칠 수 있으므로, 이러한 장점은 쉽게 무효화될 수 있습니다.